La inteligencia artificial no para de pedir potencia, y la industria de los microchips tiene que correr para seguirle el ritmo. En este contexto, dos de los pesos pesados del sector, Samsung Electronics y ASML, han decidido estrechar todavía más sus lazos. Ambas compañías han anunciado una ampliación de su alianza estratégica de larga duración para centrarse en la litografía High NA EUV y en los procesos avanzados de fabricación.
Este acuerdo apunta a cuestiones técnicas muy concretas que llevaban tiempo cociéndose en los despachos y laboratorios de ingeniería. El objetivo principal es preparar el terreno para la próxima generación de silicio que demandarán los sistemas inteligentes en los próximos años.
La gran revolución: adiós a las máscaras fotográficas tradicionales
Una de las novedades más interesantes de este pacto es la participación de Samsung en una iniciativa industrial para impulsar la próxima generación de tecnología de fotomáscaras de 12 pulgadas. Durante décadas, la industria de los semiconductores se ha apoyado en el formato clásico de 6 pulgadas, pero los tiempos cambian.
Con la llegada de la tecnología High NA EUV, dar el salto a máscaras más grandes de 12 pulgadas aporta una serie de ventajas técnicas muy notables:
- Se incrementa de manera considerable la productividad en las plantas de fabricación o fabs.
- Se reducen los costes totales en la producción de obleas y chips.
- Se eliminan las restricciones de solapamiento, conocidas como stitching, facilitando diseños más limpios.
Gracias a su experiencia tanto en el desarrollo de memorias como en la fundición de semiconductores, Samsung se sitúa en una posición privilegiada para liderar esta transición hacia las 12 pulgadas junto a otros socios del sector.
Litografía High NA EUV en memorias DRAM
Pero la cosa no se queda ahí. Samsung tiene planeado introducir la litografía ultravioleta extrema de alta apertura (High NA EUV) de ASML en la fabricación a gran escala de memorias DRAM. La previsión es hacerlo por primera vez en la industria de cara al año 2028.
Esto es importante porque demuestra que la tecnología High NA ya está madurando lo suficiente como para dar el salto definitivo tanto al terreno de la lógica como al de la memoria avanzada. Dicha tecnología permitirá ampliar la hoja de ruta de escalado de las memorias DRAM, mejorando la resolución y simplificando los procesos de fabricación para ganar eficiencia energética y operativa.
En definitiva, aunque todavía falte tiempo para ver los frutos comerciales masivos de esta colaboración, el movimiento asegura que la maquinaria de innovación no se detenga ante los retos que plantea la era de la inteligencia artificial.